ترانزیستور J13009 To-3P بازسازی شده
31,000 تومانCollector-Base Voltage : VCBO = 700 V
Collector-Emitter Voltage : VCEO = 400 V
Emitter-Base Voltage : VEBO = 9 V
Collector Current (DC) : IC = 12 A
Collector Current (Pulse) : ICP = 24 A
Base Current : IB = 6 A
Collector Dissipation (TC=25°C) : PC = 130 W
Junction Temperature : TJ = 150 °C
Storage Temperature : TSTG = – 65 ~ 150 °C
ترانزیستور ماسفت IRFP460
قیمت اصلی: 60,000 تومان بود.49,500 تومانقیمت فعلی: 49,500 تومان.ترانزیستور ماسفت IRFP460
- نوع ترانزیستور: N-channel MOSFET
- نوع بسته‌بندی: TO-247
- ولتاژ کاری: 500 ولت
- جریان کاری: 20 آمپر
- جریان پایدار دیود (ID): 20 آمپر
- مقاومت کم در حالت روشن (On-Resistance): این ماژول دارای مقاومت کم در حالت روشن است تا از ضایعات توان در هنگام سوئیچینگ کاسته شود.
- سرعت سوئیچینگ بالا: این ماژول قابلیت سوئیچینگ سریع را داراست که آن را برای کاربردهای با فرکانس بالا مناسب می‌سازد.
- تحمل توان بالا: این ترانزیستور ماسفت برای تحمل توان بالا به طراحی شده است و قدرت مصرفی بالا را به صورت کارآمد مدیریت می‌کند.
ترانزیستور D13009E
36,000 تومانترانزیستور D13009E
- نوع ترانزیستور: NPN
- کاربرد: ترانزیستور سوئیچینگ ولتاژ بالا و سوئیچ قدرت
- ولتاژ : 400 ولت
- جریان کاری: 12 آمپر
- توان: 120 وات
- مناسب برای مدارهای کلید زنی با ولتاژ 115 و 220 ولت
- سرعت خاموش شدن بالا برای مدارهایی که نیاز به تغییر سریع ولتاژ دارند.
- پکیج To-3P (ترانزیستور 13009 بزرگ)
ماسفت 47N60C3
195,000 تومانماسفت 47N60C3
ترانزیستور MOSFET 47N60C3 TO-247 یک ترانزیستور قدرت N-کانال با توان بالا است که در کاربردهای الکترونیکی و برق قدرت به کار می‌رود. این ترانزیستور به ویژه برای استفاده در مدارهای سوئیچینگ، تقویت توان، تنظیم سرعت موتورها و مصرف کننده‌های قدرت مناسب است. ویژگی‌های فنی این ترانزیستور به شرح زیر است:
1. نوع: N-کانال، به معنای داشتن یک کانال حامل بار منفی بودن.
2. بسته‌بندی: TO-247، بسته‌بندی مناسب برای تشتیت حرارت بهینه و اتصالات قوی.
3. ولتاژ بالا: حداکثر ولتاژ Vds برای 47N60C3 تا 600 ولت است.
4. جریان بالا: حداکثر جریان مداوم Id تا 47 آمپر می‌تواند عبور کند.
5. مقاومت ON کم: Rds(on) به مقادیر کمتری کاهش می‌یابد تا اتلافات توان کاهش یابد و کارایی بالاتری در سوئیچینگ ایجاد شود.
6. مدیریت گیت: کنترل ولتاژ دروازه (Vth) و شارژ دروازه (Qg) مهم برای کارآیی سوئیچینگ و کنترل دقیق ترانزیستور است.
7. کاربردها: مناسب برای استفاده در منابع تغذیه، مبدل‌ها، موتورها، اینورترها و سیستم‌های قدرتی صنعتی و خودروهای الکتریکی.
8. اندازه‌گیری سریع: توانایی تحمل سوئیچینگ سریع باعث کارایی بالاتر در کاربردهای مرتبط می‌شود.
ترانزیستور MOSFET 47N60C3 TO-247 یک انتخاب عالی برای پروژه‌هایی است که نیاز به توان بالا و عملکرد مطمئن دارند. با احتیاط و توجه به مشخصات فنی، می‌توانید از این ترانزیستور در طراحی مدارهای خود بهره‌برداری کنید.
ترایاک BTA16-600B جریان 16 امپری
22,000 تومانویژگیهای ترایاک BTA16-600B:
ترایاک‌ها به عنوان سوئیچ‌های دوطرفه و دارای ویژگی‌های منحصر به فردی در کنترل جریان الکتریکی عمل می‌کنند. ترایاک BTA16-600B با ولتاژ روشن بودن 600 ولت و جریان روشن بودن 168 آمپر یکی از مدل‌های معروف این دستگاه است. همچنین، کاربردهای گسترده‌ای در صنایع مختلف از جمله کنترل دور موتورها، کنترل دما، و صنعت الکترونیک دارد. استفاده از ترایاک‌ها به عنوان سوئیچ‌های قدرتی در مدارهای الکتریکی می‌تواند به بهبود کارایی و کنترل دقیقتر در انواع دستگاه‌ها کمک کند.
ترانزیستور ماسفت FQPF20N60C
25,000 تومانترانزیستور ماسفت FQPF20N60C
ماژول ترانزیستور قدرتی FQPF20N60C TO-220F یک ترانزیستور با قابلیت تحمل ولتاژ بالا و جریان بالا است. این ماژول برای کاربردهایی که نیاز به قدرت بالا و سوئیچینگ سریع دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ویژگی های اصلی این ماژول عبارتند از:
- نوع ترانزیستور: قدرتی
- نوع پکیج: TO-220F
- ولتاژ تحمل: 600 ولت
- جریان تحمل: 20 آمپر
- مقاومت کم در حالت روشن شدن
- سوئیچینگ سریع
- قابلیت تحمل توان بالا
این ماژول قابل استفاده در مدارهای قدرتی با ولتاژ و جریان بالا، مانند منابع تغذیه، درایو موتور، سیستم‌های راه‌اندازی و سایر کاربردهای الکترونیکی می‌باشد.
ماژول ترانزیستور قدرتی FQPF20N60C TO-220F با دارا بودن ویژگی های برجسته خود، یک انتخاب عالی برای پروژه‌هایی است که نیاز به قدرت بالا و عملکرد قوی دارند.
IGBT G40N60D
قیمت اصلی: 150,000 تومان بود.143,000 تومانقیمت فعلی: 143,000 تومان.IGBT G40N60D
IGBT G40N60D یک ترانزیستور دوقطبی N-Channel با گیت ایزوله شده است و در شرکت (WXDHC) تولید می‌شود. این ترانزیستور از مزایای ترکیبی MOSFETها و ترانزیستورهای دوقطبی بهره می‌برد و برای کاربردهای الکترونیک قدرتی با ولتاژ و جریان بالا مناسب است.
ویژگی‌های اصلی IGBT G40N60D عبارتند از:
IGBT G40N60D مناسب برای کاربردهای مختلف سوئیچینگ قدرتی از جمله درایو موتور، تبدیل توان، حرارت القایی و منابع تغذیه است. با امکان تحمل ولتاژ و جریان بالا، این ترانزیستور برای استفاده در صنایع مختلف، از جمله خودروسازی، الکترونیک صنعتی و انرژی قابل استفاده است.
ترانزیستور IGBT FGH60N60 SFD
126,000 تومانترانزیستور IGBT FGH60N60 SFD
یک ترانزیستور قدرت IGBT به نام FGH60N60 SFD می‌باشد. این ترانزیستور قابلیت کار در فرکانس‌های بالا و تحمل ولتاژهای بالا را داراست که در کاربردهای الکترونیک قدرت و مهندسی بسیار مورد استفاده قرار می‌گیرد.
- نوع ترانزیستور: IGBT
- تحمل ولتاژ: 600 ولت
- جریان: 60 آمپر
- جریان DC کلکتور: 120 آمپر
- ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر: 2.9 ولت
- حداکثر توان تبدیل: 378 وات
- ماکزیمم ولتاژ گیت-امیتر: 20 ولت
- قابلیت کار در فرکانس‌های بالا
- دمای کاری: -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
- دارای دیود موازی معکوس داخلی
- پکیج TO-247AD (TO-3P)
K2915 ماسفت کانال N
100,000 تومانK2915 ماسفت کانال N
ترانزیستور K2915 یک ترانزیستور قدرتی MOSFET نوع N است که به عنوان یک قطعه الکترونیکی کلیدی در مدارهای الکترونیکی و برقی برای کنترل جریان و ولتاژ استفاده می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌های مهم زیر است:
- نوع MOSFET: K2915 یک ترانزیستور MOSFET نوع N است، که به عنوان یک کانال منفی عمل می‌کند.
- ولتاژ کنترلی (Vgs): این ترانزیستور دارای ولتاژ کنترلی (Vgs) حداکثر 30 ولت است.
- ولتاژ VDS: ولتاژ VDS حداکثر 600 ولت دارد، که نشان‌دهنده ولتاژ دیسیپیشن بین درین و سورس در وضعیت عادی است.
- حداکثر جریان مداوم (Id): این ترانزیستور دارای حداکثر جریان مداوم 16 آمپر است.
- مقاومت درین-سورس (Rds): مقاومت درین-سورس (Rds) این ترانزیستور حدود 0.4 اهم دارد، که نشان‌دهنده مقاومت درین تا سورس در وضعیت روشن است.
- حداکثر توان مصرفی: حداکثر توان مصرفی این ترانزیستور حدود 150 وات است.
- ظرفیت خازنی ورودی (Ciss): ظرفیت خازنی ورودی (Ciss) حدود 3520 پیکوفاراد است، که نشان‌دهنده خازنی است که بین دروازه و منبع ولتاژ ورودی وجود دارد.
- ظرفیت خازنی خروجی (Coss): ظرفیت خازنی خروجی (Coss) این ترانزیستور حدود 300 پیکوفاراد دارد.
- مجموع شارژ کامل (Qg): مجموع شارژ کامل (Qg) تقریباً 80 نانوکولن است، که نشان‌دهنده میزان شارژ مورد نیاز برای کنترل ترانزیستور در وضعیت روشن به وضعیت خاموش است.
این ترانزیستور به عنوان یک کلید الکترونیکی در مدارهای تقویت سیگنال و کنترل دستگاه‌های الکترونیکی و برقی مورد استفاده قرار می‌گیرد و برای کاربردهای مختلفی از جمله منابع تغذیه و مدارهای تقویت سیگنال بسیار مفید است.
آی سی ولتاژ رفرنس TL431
4,800 تومانآی سی ولتاژ رفرنس TL431
در بسیاری از مدارات الکترونیکی، نیاز به یک ولتاژ مرجع دقیق و بدون خطا وجود دارد. ولتاژ مرجع یک ولتاژ ثابت است که در تغییرات دما، بار خروجی، نوسانات محیطی و پارامترهای دیگر تغییر نمی‌کند. آی سی TL431 یکی از این ولتاژهای مرجع است که به کمک دو مقاومت متغیر می‌توان ولتاژ خروجی آن را بین 2.5 ولت تا 36 ولت تنظیم کرد.
- تیپ ریفرنس: شانت قابل تنظیم
- ولتاژ خروجی: 2.495 V
- دقت اولیه: 1 درصد
- ضریب دمایی: 63 PPM / C
- مکزیمم ولتاژ ورودی ریقرنس: 2520 mV
- جریان شنت مکزیمم: 15 میلی امپر
- دمای کاری: – 40 C تا + 125 C
- ولتاژ ورودی: 36 V
- جریان شانت مینیمم: 1 mA
- جریان تغذیه مکزیمم: 0.4 uA
- ولتاژ خروجی مکزیمم: 36 V
ترانزیستور 2N5551 پکیج TO-92
550 تومانترانزیستور 2N5551 پکیج TO-92
ترانزیستور 2N5551 دارای مشخصات فنی بسیار مناسبی برای استفاده در مدارات الکترونیکی است. این ترانزیستور دارای جریان کلکتور بیش از 600 میلی‌آمپر و ولتاژ کلکتور به امیتر بیش از 160 ولت می‌باشد. ولتاژ کلکتور به Base آن 180 ولت می‌باشد.
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL 2N5550 2N5551 UNITS
Collector-Base Voltage VCBO 160 180 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 140 160 V
Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 V
Continuous Collector Current IC 600 mA
Power Dissipation PD 625 mW
Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.0 W
Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C
Thermal Resistance JA 200 °C/W
Thermal Resistance JC 125 °C/W
ترانزیستور A1395 برند NEC اورجینال
50,000 تومانترانزیستور A1395
ترانزیستور A1395 یک ترانزیستور PNP Silicon Epitaxial است که برای سوئیچینگ با سرعت بالا در مدارهای الکترونیکی به کار می‌رود. این ترانزیستور به دلیل ولتاژ کلکتور-امیتر بالا، جریان کلکتور زیاد، و سرعت سوئیچینگ بالا مناسب برای کاربردهایی با توان بالا است.
